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最后，检修作者成功地制备了β′-α异相结，其显示出更宽的门控滞后窗口，并大大改善了非易失性存储器（NVM）特性。电力作者在图2e采用DFT计算来研究β′和α相在应变下的能量演变。
当所有的原子都完全松弛时，联网除了低硒空位浓度的状态（0-3%），β和β′相之间的能量差异随着硒空位的增加而单调地增加。工程这种突然和不可逆的相变以及α-In2Se3薄膜中明显的皱纹揭示了薄膜分层和界面应变释放是这种相变的主要原因（图2i）。
